眾所周知晶閘管模塊的di/dt承受能力與其芯片結(jié)溫有直接關(guān)系，di/dt承受能力隨著溫度的上升會(huì)有明顯的下降。因此用戶在使用時(shí)必須保證器件的散熱條件。要求在工作過(guò)程中，普通晶閘管：Tj≤125°C，高頻、快速晶閘管：Tj≤115°C。
        晶閘管模塊的di/dt承受能力實(shí)際反映了器件的電流快速開(kāi)通能力，它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強(qiáng)觸發(fā)脈沖，可以明顯減小器件開(kāi)通時(shí)間和開(kāi)通損耗，增強(qiáng)器件di/dt承受能力。我們建議的觸發(fā)脈沖要求為：
        觸發(fā)電流幅值：IGM = (4至10倍) IGT
        觸發(fā)電流上升時(shí)間：tr小于1µs。

        晶閘管模塊在承受過(guò)高的di/dt時(shí)，會(huì)在其芯片產(chǎn)生局部瞬時(shí)高溫，這種局部瞬時(shí)高溫在長(zhǎng)期工作中會(huì)影響器件的工作壽命。因此，使用者在任何時(shí)候，都應(yīng)保證di/dt不應(yīng)超過(guò)器件生產(chǎn)廠家給出的規(guī)定值，并且留有一定裕量。
        晶閘管模塊的di/dt與其開(kāi)通損耗關(guān)系極大，晶閘管模塊高di/dt應(yīng)用于高頻率場(chǎng)合時(shí)，需考慮開(kāi)通損耗上升引起的結(jié)溫上升，用戶應(yīng)考慮降低器件通過(guò)的通態(tài)電流或增強(qiáng)器件散熱能力。
        綜上所述，增強(qiáng)器件局部瞬時(shí)浪涌時(shí)的溫度承受能力，即晶閘管模塊結(jié)溫上升越小越好，就能大大提升器件的 di/dt能力。要做到這一點(diǎn)，關(guān)鍵是散熱器的瞬態(tài)熱阻要小。
        昆二晶晶閘管模塊真專家，為了您滿意，我們真的走心了。若對(duì)我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555！