可控硅模塊的頻域測(cè)試是對(duì)干擾噪聲的抑制能力用插入損耗來進(jìn)行衡量的，在使用可控硅模塊時(shí)，考慮最多的是額定電壓及電流值、耐壓性能、漏電流三項(xiàng)，一起來了解一下吧：
        1、插入損耗的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試，在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量法中規(guī)定，在50Ω～75Ω之間的任一阻值的系統(tǒng)內(nèi)測(cè)試可控硅模塊的插入損耗特性；
        2、可控硅模塊的時(shí)域測(cè)試，對(duì)于可控硅模塊的EMI信號(hào)線濾波器，由于傳輸線本身就會(huì)產(chǎn)生一定的電磁干擾，所以測(cè)試信號(hào)必然會(huì)產(chǎn)生一定的衰減；

        3、插入損耗的加載測(cè)試，由于使用不合適的材料，可控硅模塊的共模扼流圈不可能保證完全對(duì)稱會(huì)導(dǎo)致磁環(huán)的飽和，同時(shí)寄生差模電感也可能產(chǎn)生磁環(huán)的飽和。
        隨著可控硅模塊測(cè)試的工作量急劇增加，對(duì)測(cè)試設(shè)備在功能、性能、測(cè)試速度、測(cè)試準(zhǔn)確度等方面的要求也日益提高，希望能夠?qū)δ兴鶐椭?br />         昆二晶可控硅模塊真專家，為了您滿意，我們真的走心了。若對(duì)我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555！