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昆二晶為您講解導(dǎo)致晶閘管模塊損壞的五大原因

來源:昆二晶發(fā)布日期:2018-08-25關(guān)注:-
       當(dāng)晶閘管模塊損壞后,我們需要檢查分析其原因時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面就有昆二晶晶閘管模塊小編為大家介紹導(dǎo)致晶閘管模塊損壞的五大原因:
       1、電壓擊穿。晶閘管模塊因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。
       2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,其位置在遠(yuǎn)離控制極上。
       3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。

晶閘管模塊


       4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。
       5、G-K電壓擊穿。晶閘管模塊G-K間因不能承受反向電壓()12V)而損壞,其芯片G-K間有燒焦的通路(短路痕跡)。
       昆二晶晶閘管模塊,我們用最專業(yè)的態(tài)度,關(guān)注您最細(xì)微的問題,想客戶之所想,急客戶之所急,用十分的品質(zhì),填平您一分的擔(dān)憂。您若對(duì)我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:06577-62627555。我們等著您!

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