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昆二晶小百科:雙向可控硅使用指南

來源:昆二晶發(fā)布日期:2018-08-27關注:-
       目前交流調壓多采用雙向可控硅,它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點,對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果,但它也具有過載和抗干擾能力差,且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點,下面我們來談談雙向可控硅在其使用中如何避免上述問題。
       1.靈敏度
       雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的最小門極電流IGT是有區(qū)別的。

可控硅模塊

       2.可控硅過載的保護
       雙向可控硅元件優(yōu)點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成雙向可控硅損壞,因此為保證雙向可控硅正常工作,需有條件:
     (1)在雙向可控硅外加電壓下允許超過正向轉折電壓,否則控制極將不起作用;
     (2)雙向可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按最大電流的1.5~2倍來??;
     (3)為保證雙向可控硅控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側或直流側,當在交流側時額定電流取大些,一般多采用前者,雙向可控硅過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態(tài)過程產生的過壓。由于,雙向可控硅過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以抑制。
       昆二晶雙向可控硅真專家,為了您滿意,我們真的走心了。若對我們的雙向可控硅有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555!

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