近年來，市場上出售一種調(diào)光器， 類似某些調(diào)光臺燈內(nèi)控制電路，利用控制RC充電時間。通過雙向二極管控制MTC可控硅的導(dǎo)通角，控制負載電路的功率， 實為調(diào)功器。這種調(diào)功器用于控制白熾燈、電阻加熱器等電阻性負載，要求MTC可控硅耐壓高于交流電的峰值電壓即可。一般臺燈調(diào)光。常用反壓400V的MTC可控硅，考慮到提高可靠性，600V已足夠。
       MTC可控硅用于控制電感負載，譬如電風(fēng)扇、交流接觸器、有變壓器的供電設(shè)備等，則不同。因為這種移相式觸發(fā)電路，可控硅在交流電半周持續(xù)期間導(dǎo)通，半周過零期間截止。當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間，加到電感負載兩端電壓為交流電的瞬時值，有時可能是交流電的最大值。根據(jù)電感的特性，其兩端電壓不可能突變，高電壓加到電感的瞬間產(chǎn)生反向自感電勢，反對外加電壓。外加電壓的上升曲線越陡，自感電勢越高，有時甚至超過電源電壓而擊穿可控硅模塊。因此，可控硅控制電感負載，首先其耐壓要高于電源電壓峰值1.5倍以上。此外，可控硅兩電極間還要并聯(lián)接入RC尖峰吸收電路。常用10— 30Ω/3W 以上電阻和0.1—0.47uF/600V的無極性電容。

       交流調(diào)功電路中，MTC可控硅是在交流電過零期間關(guān)斷，從理論上講，關(guān)斷時電流變化為零，無感應(yīng)電壓產(chǎn)生。加入RC尖峰抑制電路，是為了抑制可控硅導(dǎo)通時的自感電勢尖峰。如不加入此電路，不但可控硅模塊極易擊穿，負載電路的電感線圈也會產(chǎn)生匝間、或電機繞組間擊穿，這點是決不能忽視的。
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