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MTC可控硅在電感負(fù)載中的應(yīng)用

來(lái)源:昆二晶發(fā)布日期:2018-07-05關(guān)注:-
       近年來(lái),市場(chǎng)上出售一種調(diào)光器, 類似某些調(diào)光臺(tái)燈內(nèi)控制電路,利用控制RC充電時(shí)間。通過雙向二極管控制MTC可控硅的導(dǎo)通角,控制負(fù)載電路的功率, 實(shí)為調(diào)功器。這種調(diào)功器用于控制白熾燈、電阻加熱器等電阻性負(fù)載,要求MTC可控硅耐壓高于交流電的峰值電壓即可。一般臺(tái)燈調(diào)光。常用反壓400V的MTC可控硅,考慮到提高可靠性,600V已足夠。
       MTC可控硅用于控制電感負(fù)載,譬如電風(fēng)扇、交流接觸器、有變壓器的供電設(shè)備等,則不同。因?yàn)檫@種移相式觸發(fā)電路,可控硅在交流電半周持續(xù)期間導(dǎo)通,半周過零期間截止。當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間,加到電感負(fù)載兩端電壓為交流電的瞬時(shí)值,有時(shí)可能是交流電的最大值。根據(jù)電感的特性,其兩端電壓不可能突變,高電壓加到電感的瞬間產(chǎn)生反向自感電勢(shì),反對(duì)外加電壓。外加電壓的上升曲線越陡,自感電勢(shì)越高,有時(shí)甚至超過電源電壓而擊穿可控硅模塊。因此,可控硅控制電感負(fù)載,首先其耐壓要高于電源電壓峰值1.5倍以上。此外,可控硅兩電極間還要并聯(lián)接入RC尖峰吸收電路。常用10— 30Ω/3W 以上電阻和0.1—0.47uF/600V的無(wú)極性電容。

可控硅模塊

       交流調(diào)功電路中,MTC可控硅是在交流電過零期間關(guān)斷,從理論上講,關(guān)斷時(shí)電流變化為零,無(wú)感應(yīng)電壓產(chǎn)生。加入RC尖峰抑制電路,是為了抑制可控硅導(dǎo)通時(shí)的自感電勢(shì)尖峰。如不加入此電路,不但可控硅模塊極易擊穿,負(fù)載電路的電感線圈也會(huì)產(chǎn)生匝間、或電機(jī)繞組間擊穿,這點(diǎn)是決不能忽視的。
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