陽極（Anode，A）：陽極是可控硅模塊中電流流入的一端。在實際應用中，陽極通常連接電源的正極或高電位端。當可控硅導通時，電流從陽極經(jīng)過芯片內(nèi)部流向陰極。陽極的設(shè)計需要考慮能夠承受較大的電流，通常采用較大面積的金屬電極，以確保良好的導電性和散熱性能。
  陰極（Cathode，K）：陰極是電流流出的一端，連接電源的負極或低電位端。在導通狀態(tài)下，電流從陽極經(jīng)芯片內(nèi)部流向陰極，形成完整的電流回路。陰極的結(jié)構(gòu)和材料選擇同樣要滿足低電阻、高載流能力的要求，以減少導通損耗。

  控制極（Gate，G）：控制極是可控硅模塊實現(xiàn)導通控制的關(guān)鍵電極。通過在控制極上施加一個小的觸發(fā)信號（通常為電流信號），可以改變可控硅內(nèi)部的電場分布，使 J2 結(jié)擊穿，從而觸發(fā)可控硅導通?？刂茦O的設(shè)計需要保證觸發(fā)信號能夠快速、有效地傳遞到芯片內(nèi)部，同時要具備良好的抗干擾能力，防止誤觸發(fā)。
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