當(dāng)可控硅模塊損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。
       1、電壓擊穿：可控硅模塊因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。

       2、過電流損壞：可控硅模塊電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。
       3、電流上升率損壞：可控硅模塊其痕跡與電流損壞相似，而其位置在控制極附近或就在控制極上。更多有關(guān)可控硅知識(shí)歡迎登錄昆二晶官網(wǎng)。
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