很多企業(yè)一直不了解可控硅模塊的利用價值，尤其是當可控硅模塊損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。
         1、電壓擊穿。可控硅模塊因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
         2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。

         3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
         4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。
         以上4種原因都是可控硅模塊的常見損壞原因，遇到可控硅損壞事件，應冷靜分析。更多有關可控硅知識請登錄昆二晶官網(wǎng)。
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