隨著電子元器件行業(yè)的不斷發(fā)展，現(xiàn)如今很多人對(duì)可控硅模塊已經(jīng)很了解了，那么可控硅模塊元件中參數(shù)的符號(hào)都代表了哪些意義呢？下面由可控硅模塊廠家昆二晶為大家一一介紹：
        ①可控硅模塊斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt：在額定結(jié)溫和門(mén)極斷路時(shí)，使元件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。
        ②可控硅模塊門(mén)極觸發(fā)電流IGT：在室溫下，主電壓為6伏直流電壓時(shí)，使元件完全開(kāi)通所必須的最小門(mén)極直流電流。
        ③可控硅模塊斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM：為不重復(fù)斷態(tài)峰值電壓的90％。

        ④可控硅模塊門(mén)極觸發(fā)電壓VGT：對(duì)應(yīng)于門(mén)極觸發(fā)電流時(shí)的門(mén)極直流電壓。
        ⑤可控硅模塊斷態(tài)重復(fù)平均電流IDR：對(duì)應(yīng)于斷態(tài)重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。
        ⑥可控硅模塊斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓VDSM：門(mén)極斷路時(shí)，在正向伏安特性曲線(xiàn)急劇彎曲處的斷態(tài)峰值電壓。
        ⑦可控硅模塊斷態(tài)不重復(fù)平均電流IDS：門(mén)極斷路時(shí)，在額定結(jié)溫下對(duì)應(yīng)于斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。
        ⑧可控硅模塊通態(tài)平均電流IT：在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件下，元件在電阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波，導(dǎo)通角不小于170度的電路中，當(dāng)結(jié)溫穩(wěn)定并不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)，所允許的最大通態(tài)平均電流。采購(gòu)晶閘管歡迎訪問(wèn)昆二晶官網(wǎng)。
        昆二晶可控硅模塊永遠(yuǎn)只比對(duì)手多一點(diǎn)，就是多為客戶(hù)考慮一點(diǎn)。若對(duì)我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢(xún)，咨詢(xún)電話(huà)：0577-62627555，我們竭誠(chéng)為您服務(wù)。