可控硅模塊導(dǎo)通瞬間，電流上升率di/dt很大，當(dāng)電流還來不及擴(kuò)大到可控硅模塊內(nèi)部結(jié)的全部面積時，門極附近已出現(xiàn)局部過熱而造成的損壞。電路中的電容量越大，di/dt也就越大。為此，在整流或者逆變電路中都要考慮限制di/dt的問題。
        整流電路中如有變壓器，其漏感雖對di/dt有一定的限制作用，但若變壓器二次側(cè)所接的RC吸收電路阻抗值過小或元件相并聯(lián)時，晶閘管（可控硅）仍有可能在換流期間因di/dt過大而損壞。為此可在每只晶閘管（可控硅）元件上串入電感L，以限制di/dt＜10A/μs。
        限制電感L的選擇：
        1、一般電路：
        L=U2m/10（μH）
        式中：U2m—加于可控硅模塊正向電壓峰值，即變壓器二次電壓峰值（V）。

        2、逆變電路：
        50A以上的可控硅模塊，L最好采用飽和電抗器，使限流電感在小電流時可限制di/dt＜10A/μs，而在最大電流時，鐵心飽和，其電感量能滿足在關(guān)閉可控硅正向電流到零后，可在2μs內(nèi)使反向電流等于正向電流幅值。飽和電抗器的電感量為
        最大電流時 L=U2m/IT(μH)
        最小電流時L=U2m/10(μH)
        式中：IT—晶閘管通態(tài)平均電流（A）
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