可控硅模塊的頻域測(cè)試
可控硅模塊的頻域測(cè)試是對(duì)干擾噪聲的抑制能力用插入損耗來(lái)進(jìn)行衡量的,在使用可控硅模塊時(shí),考慮最多的是額定電壓及電流值、耐壓性能、漏電流三項(xiàng),一起來(lái)了解一下吧:
1、插入損耗的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試,在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量法中規(guī)定,在50Ω~75Ω之間的任一阻值的系統(tǒng)內(nèi)測(cè)試可控硅模塊的插入損耗特性;
2、可控硅模塊的時(shí)域測(cè)試,對(duì)于可控硅模塊的EMI信號(hào)線(xiàn)濾波器,由于傳輸線(xiàn)本身就會(huì)產(chǎn)生一定的電磁干擾,所以測(cè)試信號(hào)必然會(huì)產(chǎn)生一定的衰減;
3、插入損耗的加載測(cè)試,由于使用不合適的材料,可控硅模塊的共模扼流圈不可能保證完全對(duì)稱(chēng)會(huì)導(dǎo)致磁環(huán)的飽和,同時(shí)寄生差模電感也可能產(chǎn)生磁環(huán)的飽和。
隨著可控硅模塊測(cè)試的工作量急劇增加,對(duì)測(cè)試設(shè)備在功能、性能、測(cè)試速度、測(cè)試準(zhǔn)確度等方面的要求也日益提高,希望能夠?qū)δ兴鶐椭?br /> 昆二晶可控硅模塊真專(zhuān)家,為了您滿(mǎn)意,我們真的走心了。若對(duì)我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢(xún),咨詢(xún)電話(huà):0577-62627555!
1、插入損耗的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試,在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量法中規(guī)定,在50Ω~75Ω之間的任一阻值的系統(tǒng)內(nèi)測(cè)試可控硅模塊的插入損耗特性;
2、可控硅模塊的時(shí)域測(cè)試,對(duì)于可控硅模塊的EMI信號(hào)線(xiàn)濾波器,由于傳輸線(xiàn)本身就會(huì)產(chǎn)生一定的電磁干擾,所以測(cè)試信號(hào)必然會(huì)產(chǎn)生一定的衰減;
3、插入損耗的加載測(cè)試,由于使用不合適的材料,可控硅模塊的共模扼流圈不可能保證完全對(duì)稱(chēng)會(huì)導(dǎo)致磁環(huán)的飽和,同時(shí)寄生差模電感也可能產(chǎn)生磁環(huán)的飽和。
隨著可控硅模塊測(cè)試的工作量急劇增加,對(duì)測(cè)試設(shè)備在功能、性能、測(cè)試速度、測(cè)試準(zhǔn)確度等方面的要求也日益提高,希望能夠?qū)δ兴鶐椭?br /> 昆二晶可控硅模塊真專(zhuān)家,為了您滿(mǎn)意,我們真的走心了。若對(duì)我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢(xún),咨詢(xún)電話(huà):0577-62627555!
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