現(xiàn)如今隨著人們的節(jié)能環(huán)保意識(shí)的逐漸增，MT可控硅模塊用于各行各業(yè)；那么MT可控硅模塊在應(yīng)用中損壞的原因有哪些呢？下面就由可控硅晶閘管廠家昆二晶為大家介紹：
        1、過(guò)壓擊穿：
        過(guò)壓擊穿是MT可控硅模塊擊穿的主要原因之一，可控硅對(duì)過(guò)壓的承受能力幾乎是沒(méi)有時(shí)間的，即使在幾毫秒的短時(shí)間內(nèi)過(guò)壓也會(huì)被擊穿的，因此實(shí)際應(yīng)用電路中，在MT可控硅模塊兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無(wú)規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過(guò)壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅模塊擊穿，請(qǐng)檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。
        2、過(guò)流與過(guò)熱擊穿：
        其實(shí)過(guò)流擊穿與過(guò)熱擊穿是一回事。過(guò)流擊穿就是電流在通過(guò)MT可控硅模塊芯片時(shí)在芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng)，使芯片溫度升高，當(dāng)芯片溫度達(dá)到175℃時(shí)芯片就會(huì)失效且不能恢復(fù)。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過(guò)可控硅額定電流是不會(huì)發(fā)生這種熱擊穿的，因?yàn)檫^(guò)流擊穿原理是由于溫度升高所引起的，而溫度升高的過(guò)程是需要一定時(shí)間的，所以在短時(shí)間內(nèi)過(guò)流(幾百毫秒到幾秒時(shí)間)一般是不會(huì)擊穿的。

        3、過(guò)熱擊穿：
        這里所說(shuō)的過(guò)熱擊穿是指在工作電流并不超過(guò)MT可控硅模塊額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿，發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅模塊的輔助散熱裝置工作不良而引起MT可控硅模塊芯片溫度過(guò)高導(dǎo)致?lián)舸?。?duì)于采用水冷方式工作的，主要檢查進(jìn)水溫度是否過(guò)高(一般要求水溫應(yīng)在25℃以下，但最高不能超過(guò)35℃)，流量是否充足;對(duì)于采用風(fēng)冷方式工作的，應(yīng)檢查風(fēng)扇的轉(zhuǎn)數(shù)是否正常，還有環(huán)境溫度也不能太高等，但無(wú)論是風(fēng)冷的還是水冷的，如果你在更換可控硅時(shí)只是更換了芯片的話，安裝時(shí)要注意芯片與散熱器之間的接觸面一定要保證良好的接觸，接觸面要平整，不能有劃痕或凹凸且不能有灰塵夾入，還要保證有足夠且均勻的壓力，特別是對(duì)水冷的可控硅，三個(gè)螺栓的拉力一定要均勻，并且還要經(jīng)常檢查和清理水垢，水垢太多也會(huì)影響散熱效果導(dǎo)致過(guò)熱擊穿的。另外如果多次更換芯片也會(huì)導(dǎo)致散熱器的接觸面變形而影響散熱效果，如果您的機(jī)器上的某只可控硅模塊經(jīng)常擊穿又找不到其他原因的話，就應(yīng)該考慮在更換可控硅時(shí)連同散熱器一齊更換。更多有關(guān)晶閘管知識(shí)歡迎訪問(wèn)昆二晶官網(wǎng)。
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