咱們在購買或者使用晶閘管模塊的時(shí)候，有需要重視的幾個(gè)參數(shù)?，F(xiàn)在為大家羅列出來，僅供參考：
       (1)正反向電壓的選擇
       晶閘管模塊工作時(shí)，必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在使用電壓峰值的2-3倍以上。 (2)額定工作電流參數(shù)的選擇
       晶閘管模塊的額定電流是在一定條件下的最大通態(tài)平均電流IT 。由于變流器工作時(shí)，各臂的晶閘管模塊可能有不均流因素，而且它通常是小于170℃導(dǎo)通角工作。所以它的額定電流應(yīng)選擇其正常工作電流平均值的1.5-2.0倍。
       (3)門極(控制級(jí))參數(shù)的選擇
       晶閘管模塊門極施加控制信號(hào)使它由阻斷變成導(dǎo)通需經(jīng)歷一段時(shí)間，這段時(shí)問稱開通時(shí)間tgt 。在在串并聯(lián)運(yùn)行時(shí)應(yīng)盡量選擇tgt接近的晶閘管。如果相差太大，在串聯(lián)運(yùn)行時(shí)將引起正向電壓無法平均分配，使開通時(shí)間tgt較長的晶閘管受損。并聯(lián)運(yùn)行時(shí)tgt較短的晶閘管將分配更大的電流而受損。
       在不允許晶閘管模塊誤導(dǎo)通的設(shè)備中，如電機(jī)調(diào)速等，可選擇門極觸發(fā)電壓、電流稍大一些的管子(如觸發(fā)電壓VGT > 2V,觸發(fā)電流IGT > 150mA)以保證不出現(xiàn)誤導(dǎo)通，在觸發(fā)脈沖功率大的電路中也可選擇觸發(fā)電壓、電流稍大一點(diǎn)的晶閘管。(4)關(guān)斷時(shí)間(tg) 的選擇

       晶閘管模塊關(guān)斷后需要一定的時(shí)間恢復(fù)其阻斷能力。從正向電流過零到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的最小時(shí)聞間隔是可控硅的關(guān)斷時(shí)間tg，工作頻率與關(guān)斷時(shí)間有關(guān)。大于50周使用時(shí)一定要對(duì)關(guān)斷時(shí)間參數(shù)作選擇，一般快速晶閘管(即KK型晶閘管)的關(guān)斷時(shí)間在10-50μs，其工作頻率可達(dá)到1K-4KHZ;中速晶閘管(即KPK型晶閘管)的關(guān)斷時(shí)間在60-100μs，其工作頻率可達(dá)幾百至lKHZ。
       (5)電壓上升率(dV/dt)和電流上升率(di/dt) 的選擇
       晶閘管模塊在阻斷狀態(tài)下，所加的正向電壓的上升率超過一定值，器件就會(huì)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，使可控硅誤導(dǎo)通。選擇足夠的dV/dt的晶閘管。一般500A的晶閘管dV/dt在100-200V/μs。工作頻率在幾百HZ以內(nèi)應(yīng)選用dV/dt在200-1000V/μs之間KK或KPK晶閘管。
       當(dāng)門極加觸發(fā)脈沖后，晶閘管模塊首先在門極附近的小區(qū)域內(nèi)導(dǎo)通.再逐漸擴(kuò)大，直至全部結(jié)面導(dǎo)通，因此如在剛導(dǎo)通時(shí)陽極電流上升太快，可能使PN結(jié)的局部燒壞。普通晶閘管(500A)的di/dt在50一300A/μs，在工頻條件下，di/dt在50A/μs以下就可以滿足使用;在變頻條件下，di/dt必須在100A/μs以上。下列情況對(duì)dV/dt和di/dt的要求都比較高，必須選用較大dV/dt和di/dt的晶閘管模塊：①陽極電壓高而且在峰值時(shí)觸發(fā)，②接有大容量電容的回路。
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